Die Eingangsstufe eines TTL-Geräts wirkt als in Sperrrichtung vorgespannte Diode. Als solches erscheint jede hohe Impedanz in der Eingangsstufe, sei es aufgrund der Erweiterung der Verarmungszone des B-E-Übergangs oder aufgrund eines vollständig getrennten Pins, als hoher Eingang.

Sehen Sie sich das vereinfachte Diagramm eines NAND-Gatters aus wikipedia an. Sie können sehen, dass ein Strom von Vcc durch die Basis und den Kollektor des ersten Transistors zur Basis des zweiten Transistors fließen und diesen einschalten kann.

Dieses Beispiel zeigt noch einmal, wie wichtig es ist, die Pegel richtig zu definieren und nicht verwendete Eingänge mit GND oder Vcc zu verbinden. Da die Eingänge der normalen TTL-Logik (nicht LS) für Überspannung empfindlich sind, empfiehlt Texas Instruments, einen 1K-Ohm-Pull-up-Widerstand zu verwenden, den Sie für bis zu 25 Eingänge verwenden können. Die Eingänge von nicht verwendeten Gates, Flip-Flops, Zählern usw. sollten mit GND verbunden werden.

Bei gängigen TTL-Komponenten können offene Eingänge als HIGH ziemlich zuverlässig angenommen werden, aber beim Umschalten auf LS oder sogar CMOS-Logik mit Es sind hochohmige Eingänge, bei denen Sie sicherlich auf Probleme stoßen werden. Kapazitive Kopplung und elektrostatische Aufladungen verändern Ihre Bits auf unvorhersehbare Weise.

Aus dem unten wiedergegebenen TTL-NAND-Datenblatt von TI ist ersichtlich, dass mit den Eingängen (A, B), die entweder hoch sind oder schweben dürfen, Strom in die Basis des Totempfahltreibers fließen kann. Schließlich wird der Ausgang (Y) niedrig.

Wenn jedoch entweder A oder B niedrig gezogen wird, wird der Strom, der in die Basis des Totempfahltreibers fließen würde, stattdessen auf Masse umgeleitet, wodurch Y gezwungen wird hoch.