Frage:
Warum werden BJT-Betriebsarten so benannt, wie sie sind?
MDMoore313
2015-03-10 05:23:45 UTC
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Ich weiß, dass ein Bipolar Junction Transistor vier Betriebsmodi hat, die durch den Basis-Kollektor-Übergang und die Vorspannung des Basis-Emitter-Übergangs vorgegeben sind:

enter image description here

Was ich nicht kann scheinen die Gründe für die Benennung zu finden, wie in warum sie so benannt sind. Ich habe das Gefühl, dass es mit dem Diodenmodell des BJT etwas zu tun hat:

enter image description here

und ich kenne die grundlegende Funktionsweise der Diode, kann sie aber nicht herstellen Ich habe aus irgendeinem Grund einen Sinn dafür und kann ihn anscheinend nicht im Internet finden.

Leider ist dieses Diodenmodell nicht nützlich (möglicherweise sogar schädlich).Es ähnelt nicht dem, was ein tatsächlicher BJT in einem anderen Modus als dem Cutoff tut.Versuchen Sie vielleicht, den [Wikipedia-Artikel] (http://en.wikipedia.org/wiki/Bipolar_junction_transistor) (erneut) zu lesen.
Siehe auch: http://electronics.stackexchange.com/questions/254391/terminology-for-bjt-regions-of-operation
Einer antworten:
Alexander Sabiona
2015-03-10 06:36:21 UTC
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Fragen Sie sich, warum sie so heißen? Sie werden so benannt, weil sich der Transistor in diesen genannten Zuständen verhält.

Im Grunde sind die häufigsten Bereiche, auf die Sie stoßen, die Bereiche Cut-Off, Active und Sättigung. Die umgekehrt aktive Region, ich habe gelesen, dass es einige Anwendungen in der digitalen Welt hat, aber ich habe wenig Wissen darüber, aber ich werde versuchen zu erklären, warum es so heißt. Wenn Sie zu den drei gemeinsamen Regionen zurückkehren, können Sie einfach sagen, dass es sich um den Zustand "vollständig aus", "gesteuert" und "vollständig ein" des Transistors handelt.

Bevor wir weiter gehen, würde ich ihn hier einfach einwerfen dass der Basisstift eines Transistors derjenige ist, der für das Ein- und Ausschalten des Geräts verantwortlich ist. Dieser Pin steuert, wie Strom vom Kollektor zum Emitter fließt.

Nehmen wir also einen NPN-Transistor: (gegoogelt)

enter image description here

  1. Abschaltbereich - Aus der von Ihnen angegebenen Tabelle geht an die Basis sehr wenig Spannung an. Dies bedeutet, dass nur sehr wenig Strom vom Kollektor zum Emitter fließt. Aus diesem Grund wird es als Abschaltung bezeichnet, da der fließende Strom "abgeschaltet" oder einfach "abgeschaltet" ist.
  2. Sättigungsbereich - Ich habe beschlossen, die Sättigung vor dem aktiven Bereich zu diskutieren, da dies hilfreich sein könnte das Konzept leichter verstehen. Sättigung ist, wenn die Spannung im Basisstift so hoch ist, dass "Sättigung" bedeutet, dass sie nicht weiter verstärkt werden kann. Wie bereits erwähnt "voll an".
  3. Aktiver Bereich - Nachdem erwähnt wurde, dass der Grenz- und der Sättigungsbereich vollständig ausgeschaltet bzw. vollständig eingeschaltet sind, befindet sich Aktiv in der Mitte. Hier können Sie die Verstärkung des Transistors steuern. Durch Einstellen des Eingangs am Basisstift wird die Verstärkung bestimmt. Wenn Sie die Spannung deutlich erhöhen, nähern Sie sich dem Sättigungsbereich, und wenn Sie sie verringern, nähern Sie sich dem Grenzbereich. Dies ist, was ich mit "Steuerung" gemeint habe. Änderungen am Basisstift bewirken auch Änderungen an der Leistung. Aus diesem Grund wird es auch als "Aktiv" bezeichnet.
  4. Umgekehrte aktive Region - Die Polarisation ist ähnlich wie bei der aktiven Region, jedoch nur umgekehrt. Die Sache hier ist, dass es nicht wie die aktive Region verstärken kann.
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    Ich hoffe, das hilft Ihnen!

    Referenzen:

    http://www.ee.columbia.edu/~bbathula/ Kurse / SSDT / lect06.pdf

    Schauen Sie sich auch diese Folien an:

    https://www.wisc-online.com/learn/ Karriere-Cluster / Stamm / sse3603 / Betrieb eines Transistors in der aktiven Region



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