Frage:
Sollte ich einen Widerstand zwischen dem Gate-Treiber und dem MOSFET (Gate-Pin) verwenden?
Lewis Mojica
2019-07-18 08:32:56 UTC
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Ich mache einen PWM-Treiber für einen Gleichstrommotor.Nachdem einige Fragen in diesem Beitrag beantwortet wurden, endete ich mit diesem Schema:

Enter image description here

Und ich habe einige neue Fragen:

  • Benötige ich einen Widerstand zwischen dem Gate und dem Ausgang des Gate-Treibers (U?)?

  • Benötige ich einen Pulldown-Widerstand am Gate des MOSFET?

MC34152 Gate-Treiber-Datenblatt

Die einfache Antwort lautet JA, Sie benötigen einen Widerstand zwischen dem Gate und dem Out-of-the-Gate-Treiber (U?).Ich habe gesehen, wie FETs explodierten, als sie keinen oder einen zu kleinen Dämpfungswiderstand in Reihe mit dem Gate hatten.
Datenblätter sind deine Freunde.Wenn Sie einen Link zu den Komponentendatenblättern in Ihrer Frage platzieren, können die Benutzer Ihnen helfen.|Der Gate-Ansteuerungswiderstand dient normalerweise zur Dämpfung.Ein Wert im Bereich von 4 bis 10 Ohm ist häufig nützlich.|Platzieren Sie eine in Sperrrichtung vorgespannte Diode über C2 oder anstelle davon.|Siehe Treiberdatenblatt, Abb. 19 und 22. In Abb. 19 hilft das Platzieren der Schottky-Diode am FET mit minimalem Abstand häufig dabei, Schwingungen zu dämpfen....
Es hilft auch, einen in Sperrrichtung vorgespannten Zener über FET gs zu platzieren.Vzener etwas größer als Vdrivemax.Dies stoppt kapazitätsgekoppelte DG-Spitzen von Millar und ermutigt Ihren FET, sich selbst zu zerstören.(Macht in einigen Fällen einen großen Unterschied zur FET-Langlebigkeit).
Danke @RussellMcMahon, Ich werde es das nächste Mal berücksichtigen.
Fünf antworten:
hacktastical
2019-07-18 08:50:29 UTC
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Vielleicht. Das Datenblatt MC34152, S. 8, zeigt eine Reihe Rg zur Dämpfung von Schwingungen und Schottky-Dioden mit Sperrvorspannung zum Auffangen negativer Klingelspitzen am Treiber. Es würde nicht schaden, diese in Ihrem Layout zu haben. Sie könnten Null-Ohm für Rg stopfen, wenn Sie keine Dämpfung benötigen, und die Dioden nicht stopfen, wenn Sie feststellen, dass das Klingeln nicht schlecht ist. Haben Sie einen Widerstand / eine Diode pro FET, teilen Sie sie nicht. Platzieren Sie sie in der Nähe des Tors.

Am Gate Drive ist kein Pulldown erforderlich. Sie möchten jedoch ein Pulldown-Menü für die Eingabe des Treibers , um den Standardstatus auszuschalten.

Während wir die Eingänge diskutieren, binden Sie sie zusammen und verwenden Sie beide separaten Ausgänge, einen für jeden FET. Die Art und Weise, wie Sie es haben - 2 FETS zusammen zu treiben - macht den Zweck des Puffers zunichte.

Wenn es sich bei Ihrem Motor um einen normalen Bürstentyp handelt, sollten Sie eine Freilaufdiode verwenden, um die Flyback-Spitze zu erfassen, wenn sich die Schalter ausschalten. Für BLDC ist dies kein Problem. Ja, C2 macht das auch, aber die Diode ist besser.

DKNguyen
2019-07-18 08:40:18 UTC
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Möglicherweise benötigen Sie keinen Gate-Widerstand. Wenn es sich jedoch um eine benutzerdefinierte Leiterplatte handelt, sollten Sie Platz für eine schaffen und diese nur überbrücken, wenn sie nicht benötigt wird. Gate-Widerstände verlangsamen die Anstiegszeit, was zu EMI, Klingeln und Beschädigung von Spitzen führen kann. Anstelle von Widerständen können auch Ferritperlen verwendet werden

Sie möchten einen Widerstand pro Gate und den Widerstand in der Nähe des Gates. Dies ist für Klingelprobleme gedacht, falls sie auftreten sollten. Sie möchten keine Gate-Widerstände gemeinsam nutzen, da parallele MOSFETs miteinander klingeln können.

Sie sollten einen Pulldown haben, wenn Ihre Ansteuerschaltung ihn bei ausgeschaltetem Gerät nicht senkt, da Ihre MOSFET-Gatekapazität nur geladen bleibt und den MOSFET eingeschaltet bleibt. Es hilft auch, den MOSFET in einem Standardzustand zu halten, wenn Ihr Treiber gerade eingeschaltet ist, wenn Ihr Treiber auch nicht so gut damit umgeht. Ich glaube nicht, dass Sie einen mit dem Gate-Treiber benötigen, den Sie verwenden.

Sie sollten eine Flyback-Diode antiparallel zu Ihrem Motor haben. C2 hilft allerdings. Ihr Gate-Treiber-IC benötigt auch einen Entkopplungskondensator.

analogsystemsrf
2019-07-18 12:11:14 UTC
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Einige FET-Schaltungen mit verschiedenen parasitären Kapazitäten (einschließlich im Inneren des FET) und Induktivitäten (einschließlich der FET-Verpackung) und konzentrierten Lasten OSZILLIEREN.

Gate-Widerstände (als Option) bieten die Möglichkeit, die zirkulierende Energie zu dämpfen, wenn sich der C_gate_drain oder die C_gate_source in der Resonanzschleife befinden.

Jack Creasey
2019-07-18 09:00:21 UTC
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Nein, Sie benötigen KEINEN Pulldown-Widerstand für die Tore. Dies ist bereits in den Treiber integriert und der Treiber hat beim Einschalten sofort einen definierten Status.

Möglicherweise benötigen Sie einen Vorwiderstand, da der Treiber nur für maximal 1,5 A ausgelegt ist. Der Vorwiderstand wird verwendet, um den maximalen Strom zu begrenzen und das parasitäre Klingeln zu verringern, was die Verlustleistung in den Ausgangs-FETs erhöhen kann.

Wie im Datenblatt gezeigt:

![enter image description here

Wie in einer anderen Antwort erwähnt, können Sie anstelle des Kondensators eine Diode über den Motor legen, um die EMF zurück zu steuern. Beides ist jedoch keine gute Lösung.
Der beste Weg, um die gespeicherte Energie so schnell wie möglich loszuwerden, ist die Verwendung eines Zener auf Ihren Laufwerksgeräten. Wenn Sie dies tun, benötigen Sie definitiv einen Vorwiderstand vom Treiber zu den Gates, da der Zener die Antriebs-FETs anhält, um die Gegen-EMK abzuleiten.

Update: Einer der veröffentlichten Kommentare (@DKNguyen) enthüllte das Potenzial für Gate-Oszillationen zwischen den parallelen FETs und war mit diesem Artikel verknüpft.
Aus diesem Grund erscheint es ratsam, für jedes FET-Gatter einen separaten Vorwiderstand vorzusehen, um das Q aller parasitären Elemente zu verringern

Jetzt werden Sie jedoch definitiv nur einen der FETs (den mit dem Zener Drain-Gate) verwenden, um die Gegen-EMK zu begrenzen, selbst wenn diese gut übereinstimmen.

schematic

simulieren diese Schaltung - Schema erstellt mit CircuitLab sup>

Sollte es nicht einen separaten Rg pro FET geben?Andernfalls, wenn der Zener Lawinen oder Vorwärtsleitungen leitet, können Sie den maximalen Gate-Strom überschreiten?
@EmilyL.Es spielt keine Rolle, ob nur ein FET für die Gegen-EMK durchführt ... jeder ist mehr als ausreichend für die Aufgabe.Wenn einer von beiden eingeschaltet wird, wird die Spannung auf dem erforderlichen Wert gehalten. Also NEIN. Sie benötigen nicht für jedes Gerät einen separaten Widerstand.
@EmilyL.Sie möchten jedoch weiterhin einzelne Gate-Widerstände zum Klingeln.
@DKNguyen Ich bin anderer Meinung, ein Resitor ist alles, was benötigt wird.Was wäre der Vorteil von zwei Widerständen?Der Dämpfungseffekt ist bei einem gleich, da die Leitungslänge zwischen den Geräten wahrscheinlich sehr, sehr kurz ist und jede Geräteinduktivität im Wesentlichen parallel ist.
@JackCreasey Abschnitt 3. https: //toshiba.semicon-storage.com/info/docget.jsp? Did = 59458 & prodName ... Zwischen den Gates der MOSFETs kann eine Oszillation auftreten, die einen gemeinsamen Gate-Widerstand umgeht.
@DKNguyen Wow… .Abbildung 4.8 war eine Überraschung.Beachten Sie, dass sie über sehr große VDD-Werte diskutieren, um die Schwingung zu erhalten.Bei <50V scheint dies unwahrscheinlich.Ich erkenne jedoch, dass Sie in Bezug auf das Schwingungspotential Recht haben und die Antwort entsprechend ändern werden.Ein extrem guter Fang.
diverger
2019-07-18 08:51:06 UTC
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  1. Ein Widerstand in Reihe zwischen dem MOSFET-Gate und dem Treiber gibt Ihnen die Möglichkeit, die Geschwindigkeit Ihrer MOSFET-Umschaltung anzupassen.
  2. Ein Pulldown am Gate des MOSFET kann erforderlich sein oder nicht.Sie können hier auf verweisen.
  3. ol>


Diese Fragen und Antworten wurden automatisch aus der englischen Sprache übersetzt.Der ursprüngliche Inhalt ist auf stackexchange verfügbar. Wir danken ihm für die cc by-sa 4.0-Lizenz, unter der er vertrieben wird.
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